On n’a pas cessé de prophétiser la fin de la miniaturisation des puces, mais le progrès technique, lui, ne s’arrête pas, n’en déplaise à la loi de Moore. Un nouveau procédé pourrait relancer la miniaturisation de l’électronique. Il s’agit de la réduction de l’épaisseur de la couche d’oxyde de grille qui prévient la fuite d’énergie, miniaturisée au point de ne mesurer plus qu’un nanomètre. Une couche plus fine laisserait passer trop de courant lorsque le transistor est censé être bloqué.

Des chercheurs de l’Université Stanford ont effectué des simulations avec des matériaux bidimensionnels (!) qui, disposés en sandwich, passent de l’état de conducteur à celui d’isolant lorsqu’on… tire sur les extrémités ! Si les expériences physiques sont couronnées de succès, cela pourrait fournir un moyen de mettre fin aux fuites de courant dans les puces, et autoriser de nouveaux degrés de miniaturisation.

Le résultat de ces travaux, publié dans la revue Nature Communications, représente un corpus de connaissances sur ce que l’on appelle les métaux de transition dichalcogénures, des matériaux qui combinent l’un des 15 métaux de transition avec l’un des trois membres de la famille des chalcogènes parmi le soufre, le sélénium, et le tellure. Dans leur modélisation informatique, les chercheurs ont pris une couche d’atomes de molybdène en sandwich entre deux couches d’atomes de tellure.

La théorie est séduisante, mais la concrétisation en trois dimensions (!) reste à réaliser. Les perspectives de production de masse qui rendrait possible une exploitation commerciale, posent encore question. Le nouveau souffle de la miniaturisation pourrait être… retenu quelque temps.