Des impulsions laser pour des transistors 10.000 fois plus rapides ?
Une équipe internationale de physiciens a montré qu’il est possible de contraindre un isolant à se comporter comme un conducteur en le soumettant à des impulsions laser ultrabrèves. La découverte pourrait ouvrir la voie à des transistors jusqu’à 10.000 fois plus rapides que les champions actuels. Les clés de la conduction des courants dans les solides n’ont été trouvées qu’avec la découverte des lois de la mécanique quantique dans les années 1920. L’une des…