Transistors de puissance GaN RF de 10 à 200W

ampleon

Ampleon a annoncé le 16 décembre l’extension de sa fabrication transistors de puissance GaN RF basés sur une technologie de processus HEMT 0.5um. La gamme va de 10W, 30W, 50W à 100W. Plus de dix  modèles sont actuellement disponibles et conviennent pour de multiples applications tels que les pilotes en bande C, jusqu’à 100W et 200W en push-pull pour utilisation dans les dernières étapes jusqu’à la bande S.
http://www.ampleon.com/

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