Infineon Technologies a annoncé ces jours la sortie d’un transistor de puissance RF de technologie nitrure de gallium sur carbure de silicium; GaN on SiC. Technologie qui multiplie par cinq la densité de puissance et la largeur de bande des amplificateurs. Fréquence d’utilisation; 1,8-2,7-6 GHz. Les premiers modèles sont réservés aux industriels de la téléphonie permettant d’obtenir des amplis compacts. Il est intéressant pour notre activité de connaître l’existence de cette nouvelle technologie.