Naissance du premier transistor en silicène
Le premier transistor en silicène a été développé par un groupe de chercheurs de l’Institut de Microélectronique et Microsystèmes du Conseil national de recherches (Imm-Cnr) d’Agrate Brianza, dirigé par Alessandro Molle, en collaboration avec une équipe de l’Université du Texas, à Austin, coordonnée par Deji Akinwande. L’étude est publiée dans la revue Nature Nanotechnology et promet des solutions innovantes pour la nanoélectronique.
Naissance du premier transistor en silicène
Crédits : Institut de Microélectronique et Microsystèmes du Conseil national de recherches (Imm-Cnr) d’Agrate Brianza
« Le silicène est un matériau bidimensionnel basé sur des atomes de silicium qui n’existe pas dans la nature. L’intérêt pour ce matériau a augmenté de façon exponentielle car il présente la possibilité d’être intégré dans des dispositifs nanoélectroniques avec une miniaturisation extrême et un avantage unique par rapport aux autres matériaux bidimensionnels tels que le graphène : la compatibilité innée avec l’électronique conventionnelle à base de silicium », explique Alessandro Molle. « Cependant, la complexité du silicène et la gestion du support métallique avaient représenté jusqu’à présent un obstacle insurmontable pour réaliser l’intégration de la couche monoatomique du silicène dans des dispositifs ».