Le MAGX-000912-650L00
MACOM annonce un nouveau transistor HEMT GaN sur SiC transistor de puissance pulsée 650W M/A-COM Technology Solutions Inc.
Les MAGX-000912-650L00 et MAGX-000912-650L0S, d’une puissance pulsée 650 W sont des nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC). Ce transistor est disponible en bride standard ou bride de earless emballage. Fonctionnant dans la gamme de fréquence de 960 à 1215 MHz, le MAGX-000912-650L0x est un transistor robuste.