Vers de meilleures performances des transistors à effet tunnel

Des chercheurs du « Rochester Institute of Technology », en partenariat avec le consortium international sur les semiconducteurs « SEMATECH » et la « Texas State University », ont réalisé la première étude comparative expérimentale permettant d’analyser les performances de différents types de diodes à effet tunnel « III-V Esaki ». Leurs résultats pourront servir de référence aux fabricants de transistors à effet tunnel pour la conception des composants avec une efficacité énergétique optimale.

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